Samsung Разрабатывает Высокоэффективную Память LLW DRAM для Искусственного Интеллекта и Других Устройств

Samsung представляет новый тип памяти с низкой задержкой и эффективным энергопотреблением, известный как Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM. Эта инновационная технология обеспечивает высокую скорость передачи данных в 128 Гбайт/с на модуль и имеет потенциал для использования в системах искусственного интеллекта и других приложениях. Помимо низкой задержки, одной из важных характеристик LLW DRAM является низкое энергопотребление, составляющее 1,2 пДж/бит.

Хотя Samsung не раскрывает все технические детали этой памяти, предполагается, что она может комбинировать несколько модулей DRAM с использованием инновационной технологии Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP), что позволяет расширить пропускную способность интерфейса и снизить энергопотребление.

Эта разработка продолжает традицию Samsung в области высокопроизводительной памяти, такой как GDDR6W, и, вероятно, будет использоваться в различных вычислительных устройствах для искусственного интеллекта, включая смартфоны, ноутбуки и другие периферийные устройства. Несмотря на то, что конкретные сроки появления LLW DRAM на рынке пока не раскрываются, эта технология обещает значительное улучшение производительности и эффективности для будущих устройств.